2013-06-19 第183回国会 衆議院 経済産業委員会 第20号
○茂木国務大臣 まさに委員御指摘のとおりだと思っておりまして、次世代のパワーエレクトロニクス、次世代デバイスとしては、これまでのシリコンを用いた半導体ではなくて、炭化珪素、シリコンカーバイドを用いた半導体が現在最も有力である、このように考えております。
○茂木国務大臣 まさに委員御指摘のとおりだと思っておりまして、次世代のパワーエレクトロニクス、次世代デバイスとしては、これまでのシリコンを用いた半導体ではなくて、炭化珪素、シリコンカーバイドを用いた半導体が現在最も有力である、このように考えております。
他方で、経済産業省としては、さらに進んだ技術として、平成二十二年度から耐熱性、耐圧性が高いシリコンカーバイドを用いた新たなパワー半導体の開発を進めておりまして、これを用いたインバーターでは消費電力を約四割低減したという成果も出ております。 今後、この量産化、高電圧への対応など、課題はございますけれども、産学官の連携により実用化に向けた取り組みを進めてまいりたいと考えております。
酸化防止の方法を講じなきゃならぬというようないろいろなやかましい問題もございますので、これに急激に戦後着目したのがアメリカでございまして、いわゆる今の強度用のしかも高温で使える高強度用セラミックスの材料というものは代替資源という発想から始まったものでございまして、アメリカが目指しているものは、戦車用の高速度のタービン、それから航空機に載せる重機関銃の目方を軽量化するための材料が主でございまして、シリコンカーバイド